Transistores Jfet 1l3jm

Transistores JFET Oscar Iván Guzmán Acevedo Nilson Javier Duran Guzmán Sandra Milena Gómez Hernández

DEFINICIÓN 



El FET es un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se deben a los huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente. Al comparar el FET con el BJT se aprecia que el drenaje (D) es análogo al colector, en tanto que la fuente (S) es análoga al emisor. Un tercer o, la compuerta (G), es análogo a la base. La fuente y el drenaje de un FET se pueden intercambiar sin afectar la operación del transistor.

TIPOS DE FET

Ventajas y desventajas de JFET Ventajas  Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada.  Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.  Son mas estables con la temperatura que los BJT.  Se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores bajos de tensión drenaje-fuente.  Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar grandes corrientes. Desventajas  Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre a la alta capacitancia de entrada.  Presentan una linealidad muy pobre.  Se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.

Gm =

ID VGS

Parámetros Del Jfet   



IDSS VP BVGS: Voltaje de ruptura de la compuerta-fuente. Gm: Transconductancia de transferencia directa de fuente común

Regiones de Trabajo de un Transistor JFET

Polarización del FET 

La característica principal del JFET es que a diferencia de los transistores bipolares BJT, estos se controlan por voltaje (VGS)

MOSFET

Tipos y Simbología

Características MOSFET´s